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芯片克隆

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發布日期:2013年5月29日    北京福瑞創新科技有限公司
產品介紹

克隆芯片(抄芯片)設計流程
◆ 腐蝕 
-塑料封裝外殼的腐蝕,可看到第一層金屬層
     一般采用98%的硫酸加熱蒸煮 
-金屬鋁層的腐蝕,可看到多晶和有源區
     采用熱磷酸 
-有多層金屬時,去除一層金屬后需要用氫氟酸去二氧化硅 
-去多晶硅,染色看顯現 P阱和N阱
-其它細節處理,縱向結構解剖(SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡或摻雜濃度曲線測試,一般需要IC解剖不作,都是標準工藝,分立器件一般需要做)
◆ 照相拼圖
-每腐蝕一層,分區域照相
-每一層金屬拼合圖,每一層多晶拼合圖,有源區拼合圖
-把拼合圖處理成軟件可識別的圖像文件
◆ 提取、整理電路
-數字電路需要歸并同類圖形,例如與非門、或非門、觸發器等,同樣的圖形不要分析多次 
-提出的電路用電路繪制軟件繪出,按照易于理解的電路布置,使其他人員也能看出你提取電路的功能
-提取電路的速度完全由提圖人員經驗水平確定 
-各組件連接起來,如果不整理電路是看不出各模塊的連接及功能的
◆ 分析電路
-提取出的電路整理成電路圖,并輸入幾何參數(MOS為寬長比) 
-通過你的分析,電路功能明確,電路連接無誤 
◆ 仿真驗證,電路調整
-對電路進行功能仿真驗證
-模擬電路一般采用Hspice、Cadence等工具,小規模數字電路采用Cadence,Hsim等工具
-根據新的工藝調整電路
-調整后進行驗證 
◆ 版圖繪制驗證及后仿真
-根據新的工藝文件繪制版圖
-版圖DRC、LVS,寄生參數提取(Dracula,Assura,Calibre等工具)
-提取的網表作仿真驗證,并與前仿結果對比
-版圖導出GDS文件,Tape out

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